Technologische Souveränität durch Berliner Kooperation im Bereich der Materialwissenschaften

IKZ und CrysTec kooperieren bei Herstellung von Ga₂O₃-Substraten

Durch ihre Zusammenarbeit wollen die Partner das neue Halbleitermaterial mit hohem Innovationspotential für die Leistungselektronik, nun der universitären und industriellen Forschung zur Verfügung stellen, um seine Erforschung und Entwicklung voranzutreiben

Übergabe eines Galliumoxid Kristalls mit 2 Zoll Durchmesser von Dr. Thomas Straubinger, Leiter der Sektion Kristalle für Elektronik am Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (Links) an Knut Peters, Geschäftsführer der CrysTec GmbH (Rechts)

Mit der Energiewende verändert sich auch die Struktur der Energienetze – weg von zentralen Heizkraftwerken hin zu dezentralen Energieerzeugern. Doch wo viele kleine Erzeuger und Speicher entstehen, muss ständig Energie gewandelt werden. Um zum Beispiel den erzeugten Gleichstrom aus Solaranlagen in Wechselstrom umzuwandeln, werden Schalter benötigt, die Strom auf Knopfdruck umspannen und hocheffizient fließen lassen, ohne dass es zu größeren Verlusten durch Erwärmung kommt. Gleiches gilt für die Elektromobilität: Um Batteriereichweiten von bis zu 1.000 Kilometern zu erzielen, muss Strom ohne nennenswerte Wärmeverluste im Motor ankommen. „Für beide Bereiche bedarf es einer neuen Generation von Leistungselektronik und das Zauberwort dafür ist Galliumoxid“, sagt Prof. Thomas Schröder, Direktor des Leibniz-Instituts für Kristallzüchtung in Berlin-Adlershof. Mit Galliumoxid ist es möglich mit deutlich höheren Leistungen effizienter als bisher zu arbeiten, ohne dass sich die Schalterbauteile dabei so stark erhitzen, dass sie schmelzen.

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