Technologieentwicklung für Halbleitermaterial Galliumoxid gestartet

Das im September 2024 gestarteten EFRE Projekt G.O.A.L. (1.6-14) „Galliumoxid-Applikations Labor für die Leistungselektronik“ komplettiert die am IKZ geschaffene Wertschöpfungskette im Bereich Galliumoxid-Technologieentwicklung. Zu den bereits vorhanden Teilen Cz-Volumenkristallzüchtung und Wafering kommt nun der Baustein Epitaxie in Form einer 3x2“ MOVPE der Firma AIXTRON hinzu. Diese Erweiterung schafft die Voraussetzung, das IKZ in der EU als einzigen Anbieter von 2 Zoll Galliumoxid epi-Wafern zum Technologie-Prototyping für Forschung & Industrie zu etablieren. Das IKZ investierte hierzu in den letzten drei Jahren zirka 5 Mio. € in moderne Anlagen entlang der Wertschöpfungskette.

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